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資料來源：公司提供

近期NOR FLASH及MOBILE DRAM需求較強：

展望1Q10，利基型DRAM的營收貢獻應會持平，但毛利率可望因產品組合和客戶結構調整而改善；NOR FLASH和MOBILE DRAM則需求較強，來自這兩項產品的營收和獲利將持續成長；至於標準型DRAM，佔營收的比重應會繼續下降至15%以下。

MOBILE DRAM主要應用於手機、數位相機、PDA、GPS、MP3等可攜式電子產品，強調省電功能及低功率，種類包括Pseudo SRAM及Low Power DRAM。華邦電目前以Pseudo SRAM為主，為全球僅次於三星和美光的第三大供應商，Low Power DRAM目前市場仍由三星和爾必達主導，華邦電只有少量出貨，不過未來在65nm製程大量開出以後，華邦電將加速切入Low Power DRAM市場。

至於在NOR FLASH方面，由於主機板的BIOS容量由8Mb逐漸增加到32~64Mb，帶動需求大幅成長，加上來自NB CAMERA、TV等應用的需求也都持續增加，且目前下游通路商和客戶的庫存也處於健康水位，公司看好2010年市場成長力道，與MOBILE DRAM同為華邦電2010年主要的成長動能來源。

GDDR尚未大量投產：

華邦電於11/2009與爾必達簽訂MOU，未來將與其合作生產GDDR。全球的GDDR市場在2008年的產值為12億美元，三星、海力士以及奇夢達各佔約1/3市場，奇夢達破產後市場便由三星和海力士所瓜分，華邦電與爾必達合作的目標是希望能攻佔奇夢達原有的市佔率。

目前GDDR的主流規格為GDDR3和GDDR5，華邦電的GDDR3產品將於03/2010開始有小量產出；而在GDDR5方面，目前仍在design in階段，計劃2Q10開始量產。IBTSIC認為GDDR要到2H10以後，才會開始對華邦電的營收和獲利產生較明顯的貢獻。

2010年預估資本支出為67億元：

在2007年將8吋廠賣給世界先進(5347)，以及2008年將6吋廠切割成立新唐後，華邦電只剩下1座12吋廠，1H09的產能為每月3萬片，2H09增為3.2萬片，01/2010進一步增加為3.4萬片。華邦電目前的主力製程為90nm和65nm，4Q09各製程佔產出的比重分別為110nm 11%、90nm 55%、80nm 1%、75nm 11%、以及65nm 12%。

華邦電2009年的資本支出為42億元，2010年規劃為72億元，主要用途包括：(1)65nm產能擴充至16kwpm，(2)90nm的NOR FLASH產能擴充至6kwpm，(3)購買生產GDDR所需設備，(4)華邦電已訂購1台浸潤式基台，預計09~10/2010可進廠交貨，以轉進4Xnm製程。

投資建議：

IBTSIC估計華邦電2010年營收288.8億元，YoY+47.44%，稅後淨利16.19億元，以365.65億元股本計算，稅後EPS0.44元，年底每股淨值9.7元，投資建議為PBR0.75~1X區間操作。

圖二：華邦電PB BAND

資料來源：IBTS

投資評等說明