聯穎光電~1工程師遭約談聯穎光電爆內鬼盜賣機密
調查局於去偵辦穩懋半導體商業間諜楊光宇案，循線查出聯電集團子公司聯穎光電研發工程師澹台富國，涉嫌與楊光宇合作出賣聯穎光電內部機密資料，昨（27）日搜索澹台富國住家及其辦公桌並約談澹台調查，訊後將依涉及營業秘密罪嫌移送桃園檢方偵辦。
調查局去年11月偵辦楊光宇、掮客龍嘉弘透過各種管道接觸穩懋離職或現任工程師，開出優渥條件，引誘工程師竊取公司商業機密，並帶多名工程師去大陸光電公司面試，酬勞包括簽約金200萬元，月薪15萬元。調查局得知楊光宇將於去年11月9日帶穩懋的張姓、董姓和白姓工師到大陸，於同月5日緊急收網，目前5人都被羈押。
調查局桃園機動站循線抽絲剝繭，發現新竹科學園區聯電集團子公司聯穎光電，擁有博士學位的研發工程師澹台富國亦涉嫌與楊光宇合作，將砷化鎵及氮化鎵晶片製程的資料提供給大陸光電廠，也曾到大陸面試，但疑因對月薪及簽約金不滿意沒有馬上答應。
調查局桃園機動站副主任李秩義指出，該站發現澹台富國涉案後，主動通知聯穎光電，聯穎光電啟動內部調查才知道最新製程技術被盜賣。他指出，大陸將砷化鎵、氮化鎵晶片研發列為經濟重點項目，計畫在北京、成都及福州建廠量產，不惜重金投資設備並挖角人才，近來多件光電廠的商業間諜都是大陸廠商在背後指使，他呼籲國內的工程師不要觸法。<摘錄工商>
旗下聯穎併坤鉅聯電布局砷化鎵代工
看好功率放大器(PowerAmplifier，PA)在行動裝置及物聯網市場的強勁需求，聯電(2303)近期積極布局投入PA元件的砷化鎵(GaAs)晶圓代工市場，除了去年底將6吋廠售予聯電轉投資的GaAs晶圓代工廠聯穎光電，昨日再代聯穎宣布併購另一GaAs晶圓代工廠坤鉅科技。
今年是大陸智慧型手機進入4G時代的關鍵年，由於大陸三大電信業者均要求今年上市的4G新機要支援5模10頻，而包括聯想、華為、中興、小米等一線大廠，4G手機均要能支援全球20頻段，因此需要採用更多的PA晶片。
此外，物聯網應用今年開始出現爆炸性成長，為了讓物物相聯，不論是採用WiFi或藍牙等無線網路技術，均需要搭載PA晶片。也因此，去年下半年PA晶片嚴重供不應求，包括Skyworks、RFMD、Avago等大廠均接單大爆滿，並持續擴大委外代工，所以台灣GaAs晶圓代工廠宏捷科、穩懋等今年營運展望樂觀，而聯電則決定搶進GaAs代工市場爭取訂單。
聯電去年底宣布參加聯穎光電現金增資案，最高認購金額不超過5.4億元，同時也將位於新竹科學園區的Fab6A廠廠房及設備售予聯穎光電，出售價格合計4.4億元，聯電並可認列3.75億元的處分利益。而聯電此舉等於是讓聯穎光電擁有完整的GaAs晶圓代工產能。
聯電昨日亦代聯穎光電公告以換股方式併購坤鉅科技，換股比例為每3.333股坤鉅股票換發1股聯穎光電普通股，合併基準日為今年4月1日。預計合併後可整合整體資源，提升競爭力，並結合雙方在GaAs研發能力降低營運成本，提升營運績效，創造更大獲利空間，也可爭取國際大廠代工訂單。<摘錄工商>
聯電旗下聯穎新廠落腳山東
看好光電用發展，聯電（2303）新事業投資公司去年8月成立的聯穎光電，將砷化鎵太陽能電池製造為主要業務。聯穎確定廠房落腳大陸山東，初期投資額不大於900萬美元（約新台幣2.65億元）。
聯電去年8月成立聯穎光電，跨入砷化鎵晶圓代工領域，在砷化鎵市場一度死寂下，聯電100%出資成立聯穎光電，市場矚目。
聯穎昨（24）日公告在山東成立山東聯穎。聯電表示，主要是廠房已經確定落腳山東，也是聯電太陽能在山東布局的生力軍。
看好砷化鎵未來在太陽能、光通訊等應用，聯穎光電的廠房確定山東，但聯電表示，動工時間尚未確定。<摘錄經濟>
聯電處分6A廠予子公司聯穎光電
聯電（2303）今公告處分6A廠予子公司聯穎光電，總額4.4億元，處分利益約3.75億元，今董事會也通過將參加聯穎光電現金增資案，增資金額以5.4億元為限，實際投資將視聯穎其他股東繳款狀況而定，持股比重將不超過88.05%，同時董事會也通過93.4億元資本預算，將用以擴充28奈米製程產能。（蕭文康／台北報導）
聯電擬加碼投資聯穎光電
晶圓代工廠聯電將加碼投資砷化鎵晶圓代工廠聯穎光電，增加投資金額以新台幣3億元為限。
聯穎光電成立於民國99年10月，主要投入砷化鎵晶圓代工業務，目前資本額11.81億元；聯電為最大股東，持股比重達74.69%。
聯穎光電營運虧損，據聯電財報資料顯示，聯穎光電前3季稅後淨損2.33億元，每股虧損1.97元。
為彌補虧損、改善財務結構及充實營運資金，聯穎光電計劃減資再增資。聯電決定參與聯穎光電現金增資，增資額度以3億元為限。1021221
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公司簡介
聯穎光電股份有限公司成立於民國九十九年十月，為聯電集團新投資事業群的一員，目前座落於台灣新竹科學園區聯電 Fab 6A廠區，為竹科第一座六英吋砷化鎵純晶圓代工服務公司。
聯穎擁有最先進的III-V 族製程與製造設備，利用規模化生產以提供客戶高度競爭力的附加價值，生產提供終端商業應用之高性能元件以及高品質的砷化鎵微波電晶體及射頻積體電路，同時跨足再生能源領域，提供聚光型太陽能電池晶片之代工服務。
聯穎提供專業、彈性、具競爭力的晶圓代工服務及最先端的砷化鎵電晶體製程技術予全球積體電路設計公司及整合元件製造廠。本著持續創新原則，擁有紮實技術的聯穎研發團隊將持續推出最尖端的III-V族技術 ; 聯穎亦將秉持聯電一流的製造能力與務實、效率的管理精神，為客戶創造最大的價值。
另為配合母公司聯華電子之營運計劃，聯穎已自聯華電子取得原 Fab6A 所有固定資產以及所有 6 吋矽基 CMOS 產品線。透過此次資產轉移，聯穎正式跨入矽基 CMOS 晶圓專工業務，未來營收基礎將更穩健，財務結構更為強化，將更能貼近市場與客戶需求，靈活調變砷化鎵產能的擴展幅度，為全球客戶提供更好的晶圓代工服務產能支持，以達企業永續經營、持續成長的目標。
藉由提供III-V族及CMOS Specialities 業界最廣泛產品組合的 6 吋晶圓代工服務，以及最佳化的獨特雙軌式晶圓代工商業模式，聯穎期許於不久的將來能夠在全球特殊半導體市場躋身領先地位。
| 公司基本資料 |
| 統一編號 |
53170263 |
| 公司狀況 |
核准設立 |
| 公司名稱 |
聯穎光電股份有限公司 |
| 資本總額(元) |
2,000,000,000 |
| 實收資本額(元) |
1,623,771,110 |
| 代表人姓名 |
陳文洋 |
| 公司所在地 |
新竹科學工業園區新竹縣寶山鄉創新一路10號3樓 |
| 登記機關 |
科技部新竹科學工業園區管理局 |
| 核准設立日期 |
099年10月18日 |
| 最後核准變更日期 |
104年04月21日 |
所營事業資料
|
| CC01080 電子零組件製造業 |
| F401010 國際貿易業 |
| CC01060 有線通信機械器材製造業 |
| CC01070 無線通信機械器材製造業 |
| 研究、設計、開發、製造及銷售下列產品： |
| (1)砷化鎵系異質接面雙極性電晶體射頻功率放大器元件與擬晶性高電子遷移率 |
| 電晶體射頻開關元件(GaAs-based HBT RF Power A |
| mplifier & pHEMT RF Switch Device) |
| (2)砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片(GaAs based |
| Hetero-junction Bipolar Transistor Epiwafer) |
| (3)砷化銦鎵假晶式高速電子移動電晶體磊晶片(InGaAs |
| Pseudo-morphic High Electron Mobility Transistor Epiwafer) |
| (4)低導通電壓銻砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片（Low Turn-on Voltage GaAsSb HBT Epiwafer） |
| (5)超高電壓砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片（High Voltage GaAs HBT Epiwafer） |
| (6)砷化鎵異質接面雙載子電晶體暨假晶高速電子移動電晶體磊晶片(BiHE |
| MT Epiwafer) |
| (7)積體電路 |
| (8)各種半導體零組件 |
| (9)積體電路測試與包裝 |
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文章定位：
