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急~~單晶矽(c-Si) 再結合之過程

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發表時間:  於 2008-08-18 18:16:55 的發言

急~~單晶矽(c-Si) 再結合之過程計算波數(wave number) k, 當在單晶矽(1) thermalized electrons and holes in the conduction and valence bands另外請麻煩解釋一下 有關於單晶矽再結合之過程interband electron-hole recombination process in c-Si

回答:

從您的問題中可以了解到您也是矽晶的專家級

我只能夠簡略說明

地殼表面有著取之不盡用之不竭的二氧化矽

二氧化矽礦石經過悴取為高純度矽

再經由電弧爐提煉

鹽酸氯化>並經蒸餾後>製成了高純度的多晶矽

其純度高達 0.99999999999 晶圓製造廠再將此多晶矽融解

再於融液內摻入一小粒的矽晶體晶種

然後將其慢慢拉出,以形成圓柱狀的單晶矽晶棒

 由於矽晶棒是由一顆小晶粒在熔融態的矽原料中逐漸生成

此過程稱為「長晶」

 

 

我們公司是專門製造供應 太陽能電池整廠設備 的設備製造廠>>>所以提供專業知識供各位工程師參考

 

希望此訊息回答對您有幫助

 

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